産総研など、ドライプロセスによるバッファ層で高効率CIGS太陽電池を実現

　独立行政法人産業技術総合研究所とキヤノンアネルバ株式会社は、ドライプロセスだけで形成したカドミウム（Cd）フリーのCIGS太陽電池で、バッファ層の成膜にウェットプロセスを用いる従来法で製造したCIGS太陽電池に近い変換効率を実現する技術を開発したと発表しました。

　今回開発された技術の特徴は以下の通りで、この技術を用いて製造されたCIGS太陽電池の小面積セル（0.5cm2）において、16.2%の変換効率を達成しています。

• バッファ層の成膜にドライプロセスであるスパッタリングを用いる
• バッファ層の材料がZnMgOである

　今回開発された技術を用いることで以下のような利点があり、今後の量産化へ向けた技術開発が期待されます。

• 有害物質であるカドミウム（Cd）を含まないCIGS太陽電池の製造が可能
• CIGS太陽電池の成膜工程をすべてドライプロセス化することが可能
• 工程簡略化によるコスト削減が期待できる

画像提供：独立行政法人産業技術総合研究所