安川電機、世界初のGaN搭載パワーコンディショナを開発し従来比50%のサイズダウンと効率98％以上を達成

　株式会社安川電機は、世界で初めてGaN（窒化ガリウム）パワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナを開発し、同社現製品との設置面積比２分の１の小形化と、業界最高レベルの変換効率98%以上を達成したと発表しました。

　今回開発されたパワーコンディショナは、米国Transphorm, Inc.と共同で開発された高速スイッチング、かつ低損失動作が可能なGaNパワー半導体モジュールを採用し、安川電機が得意とするドライブシステムの回路や構造の技術、そして新たに開発した制御技術を組み合わせることで、大幅な効率向上と小形化を実現しています。

　このパワーコンディショナは、家庭に設置される太陽光発電用途を想定し、高効率かつ小形化の実現性を検証したものとなっており、この開発品をベースに今後2年以内の製品化を目指すとのことです。

　今回発表された開発品の主な仕様は以下の通りとなっています。

• 電力仕様：DC250V入力／AC200V出力，定格容量4.5kW
• 設置面積：当社現製品の２分の１（体積 約10L）
• 変換効率：最大98.2%、定格時97.5%